مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی برنانو نوارهای گرافن

فهرست:    3
فهرست جدول ها    5
چکیده    8
فصل اول    10
مقدمه    10
فصل دوم    17
۲-۱- معرفي نانو نوار گرافن    17
۲-۱-۱- روش های تولید گرافن :    24
۲-۱-۱-۱- لیتوگرافی پرتو E    24
۲-۱-۱-۲- روش‌ پوسته پوسته کردن میکرومکانیکی :    25
۲-۱-۱-۳- روش رشد همبافته :    26
۲-۱-۱-۴- روش رسوب نشانی بخار شیمیایی(CVD) :    26
۲-۱-۱-۵- روش تهیه گرافن از اکسید گرافیت :    27
۲-۱-۱-۶- گرافن مصنوعی :    28
۲-۱-۱-۷- سنتز گرافن از گرافیت با استفاده از روش های حرارتی:    28
۲-۱-۱-۸- سنتز نانوريبون‌هاي گرافني درون نانولوله‌هاي كربني :    28
۲-۲- ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن    29
۲-۲-۱- ترانزيستور اثر ميداني نانو نوار گرافن سد شاتکی    29
۲-۲-۲- ترانزيستور اثر ميداني نانو نوار گرافن ماسفتی    32
۲-۲-۳- ترانزيستور اثر ميدانی نانو نوار گرافن تونلي (TFET)    33
فصل سوم    36
۳-۳- مروری بر روش شبيه سازي NEGF    36
فصل چهارم    42
۴-۱- خازن گيت افزاره    43
۴-۲- فرکانس قطع بهره جریان واحد    44
۴-۳- زمان تاخیر در هر بار عمل کلید زنی (τ)    46
۴-۴- توان مصرفی(PDP)    47
۴-۵- شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن    47
۴-۵-۱- مشخصات افزاره GNRFETماسفتی    48
۴-۵-۲- بررسي منحني مشخصه هاي ترانزیستورGNRFET ماسفتی    49
۴-۵-۳- اثرات تغییر ساختار برمنحني مشخصه هاي GNRFET ماسفتی    54
فصل پنجم    61
جمع بندی و پیشنهادات    61
منابع:    63